La tecnología GaN impulsa la densidad de potencia en los centros de datos
A medida que los servidores pasan a 48 V, los transistores de GaN superarán a los MOSFET de silicio actuales, lo que generará un mejor rendimiento y costo.
A medida que los servidores pasan a 48 V, los transistores de GaN superarán a los MOSFET de silicio actuales, lo que generará un mejor rendimiento y costo.